招待講演 HfO₂/SiO₂ MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作 (シリコン材料・デバイス)

招待講演 HfO₂/SiO₂ MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作

(シリコン材料・デバイス)

Journal name: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(429):2019.1.29

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Material Type: 記事
Title: 招待講演 HfO₂/SiO₂ MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作
Author/Editor: 宮田典幸
奈良純
山崎隆浩
住田杏子
佐野良介
野平博司
Series Title: シリコン材料・デバイス
Author Heading: 宮田典幸
奈良純
山崎隆浩
住田杏子
佐野良介
野平博司
Periodical title: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue: 118(429):2019.1.29
Volume: 118
Issue: 429
Pages: 27-30
Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2019-01-29
ISSN (Periodical Title): 0913-5685
ISSN-L (Periodical Title): 0913-5685
Publication (Periodical Title): 東京 : 電子情報通信学会
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 不揮発メモリ
界面ダイポール
MOSFET
HfO₂
SiO₂
NDLC: ZN33
Target Audience: 一般
Report No. (Article): SDM2018-87
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Z16-940
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 029501872
http://id.ndl.go.jp/bib/029501872
Bibliographic Record Category (NDL): 632