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窒化物半導体集積回路プロセスの検討 : Siイオン注入による閾値制御の試み (シリコン材料・デバイス)

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窒化物半導体集積回路プロセスの検討 : Siイオン注入による閾値制御の試み

(シリコン材料・デバイス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
029722483
Material type
記事
Author
岡田 浩ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2019-05
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(36):2019.5.16・17
Publication Page
p.77-80
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
岡田 浩
横山 太一
三輪 清允
山根 啓輔
若原 昭浩
関口 寛人
Alternative Title
Study of Fabrication Process for Nitride-based Semiconductor Integrated Circuits : Threshold voltage control by Si-ion implantation
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
119(36):2019.5.16・17
Volume
119
Issue
36