選択成長法を用いたG...

選択成長法を用いたGaN系FinFET (電子デバイス研究会 高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用)

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選択成長法を用いたGaN系FinFET

(電子デバイス研究会 高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用)

Call No. (NDL)
Z43-225
Bibliographic ID of National Diet Library
031403922
Material type
記事
Author
筒井 一生ほか
Publisher
東京 : 電気学会
Publication date
2021-03-03
Material Format
Paper
Journal name
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2021(24-33):2021.3.3
Publication Page
p.11-15
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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
筒井 一生
濱田 拓也
高山 研
金 相佑
星井 拓也
角嶋 邦之
若林 整
高橋 言緒
井手 利英
清水 三聡
Alternative Title
GaN FinFETs fabricated by using selective area growth
Periodical title
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
No. or year of volume/issue
2021(24-33):2021.3.3
Volume
2021
Issue
24-33