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雑誌電気学会研究会資料 SPC
Volume number2024(178-194):2024.11.14
Article3.3 kV-Ver...

3.3 kV-Vertical-Channel Fin-SiC MOSFETの開発 (電子デバイス/半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・電力変換器とその制御)

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3.3 kV-Vertical-Channel Fin-SiC MOSFETの開発

(電子デバイス/半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・電力変換器とその制御)

Call No. (NDL)
Z43-243
Bibliographic ID of National Diet Library
033852946
Material type
記事
Author
末松 知夏ほか
Publisher
東京 : 電気学会
Publication date
2024-11-14
Material Format
Paper
Journal name
電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編] 2024(178-194):2024.11.14
Publication Page
p.1-5
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Title
3.3 kV-Vertical-Channel Fin-SiC MOSFETの開発
Author/Editor
末松 知夏
須藤 建瑠
渡辺 直樹
清水 悠佳
毛利 友紀
田中 保宣
島 明生
Series Title
電子デバイス/半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・電力変換器とその制御
Author Heading
末松 知夏
須藤 建瑠
渡辺 直樹
清水 悠佳
毛利 友紀
田中 保宣
島 明生
Alternative Title
Development of 3.3 kV- Vertical-Channel Fin-SiC MOSFET
Periodical title
電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
No. or year of volume/issue
2024(178-194):2024.11.14
Volume
2024
Issue
178-194