SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性 (有機エレクトロニクス)

SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性

(有機エレクトロニクス)

Journal name: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110(16) 2010.4.23

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Material Type: 記事
Title: SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性
Author/Editor: 大田康晴
田中貴規
佐道泰造他
Series Title: 有機エレクトロニクス
Author Heading: 大田康晴
田中貴規
佐道泰造
Alternative Title: Crystal orientation dependent growth features of Ge-on-insulator by SiGe mixing triggered melting process
Periodical title: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue: 110(16) 2010.4.23
Volume: 110
Issue: 16
Pages: 49～52
Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2010-04-23
ISSN (Periodical Title): 0913-5685
ISSN-L (Periodical Title): 0913-5685
Publication (Periodical Title): 東京 : 電子情報通信学会
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
Subject Heading: Ge
GOI
SiGeミキシング誘起溶融成長
Ge-MOSFET
Melting Growth
NDLC: ZN33
Target Audience: 一般
Report No. (Article): OME2010-11
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Z16-940
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 10668038
http://id.ndl.go.jp/bib/10668038
Bibliographic Record Category (NDL): 632