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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
Volume number110(90) 2010.6.22
Article原子層堆積法により形...

原子層堆積法により形成したPrAlOの結晶構造および電気的特性 (シリコン材料・デバイス)

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原子層堆積法により形成したPrAlOの結晶構造および電気的特性

(シリコン材料・デバイス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
10753017
Material type
記事
Author
古田 和也ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2010-06-22
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110(90) 2010.6.22
Publication Page
p.39～42
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Paper

Material Type
記事
Title
原子層堆積法により形成したPrAlOの結晶構造および電気的特性
Author/Editor
古田 和也
竹内 和歌奈
坂下 満男 他
Series Title
シリコン材料・デバイス
Author Heading
古田 和也
竹内 和歌奈
坂下 満男
Alternative Title
The crystalline structures and electrical properties of PrAlO formed by atomic layer deposition
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
110(90) 2010.6.22
Volume
110
Issue
90