ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象--接触抵抗について(その13) (環境電磁工学)

ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象--接触抵抗について(その13)

(環境電磁工学)

Call No. (NDL): Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library: 10786221

Material type: 記事

Author: 和田真一ほか

Publisher: 東京 : 電子情報通信学会

Publication date: 2010-07-16

Material Format: Paper

Journal name: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110(132) 2010.7.16

Publication Page: p.1～6

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Paper

Material Type: 記事
Title: ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象--接触抵抗について(その13)
Author/Editor: 和田真一
園田健人
越田圭治他
Series Title: 環境電磁工学
Author Heading: 和田真一
園田健人
越田圭治
Alternative Title: Degradation phenomenon of electrical contacts by hammering oscillating mechanism: contact resistance (13)
Periodical title: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue: 110(132) 2010.7.16
Volume: 110
Issue: 132
Pages: 1～6
Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2010-07-16
ISSN (Periodical Title): 0913-5685
ISSN-L (Periodical Title): 0913-5685
Publication (Periodical Title): 東京 : 電子情報通信学会
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 電気接点
微小振動
接触抵抗
ハンマリング加振機構
接触力
SDメモリーカード
electrical contact
micro-oscillation
contact resistance
hammering oscillating mechanism
contact force
SD memory card
NDLC: ZN33
Target Audience: 一般
Report No. (Article): EMCJ2010-32
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Z16-940
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 10786221
http://id.ndl.go.jp/bib/10786221
Bibliographic Record Category (NDL): 632