電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去 (集積回路)

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電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去

(集積回路)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
10936750
Material type
記事
Author
本田 健太郎ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2010-12
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110(344) 2010.12.16・17
Publication Page
p.1~6
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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
本田 健太郎
宮地 幸祐
田中丸 周平 他
Series Title
Alternative Title
Elimination of half select disturb in 8T-SRAM by local injected electron asymmetric pass gate transistor
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
110(344) 2010.12.16・17
Volume
110
Issue
344