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雑誌日本工業大学研究報告
Volume number40(1)-40(4)=128-131:2010.6-2011.2
Article半導体ナノテクノロジ...

半導体ナノテクノロジー研究室の研究概要--3族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル成長と評価 ([日本工業大学]創造システム工学科特集号 ; 創造システム工学科の研究活動および研究活動を通じた教育実践)

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半導体ナノテクノロジー研究室の研究概要--3族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル成長と評価

([日本工業大学]創造システム工学科特集号 ; 創造システム工学科の研究活動および研究活動を通じた教育実践)

Call No. (NDL)
Z14-803
Bibliographic ID of National Diet Library
11042151
Material type
記事
Author
鈴木 敏正
Publisher
宮代町 (埼玉県) : 日本工業大学
Publication date
2011-02
Material Format
Paper
Journal name
日本工業大学研究報告 = Report of researches / Nippon Institute of Technology 40(4) (通号 131) 2011.2
Publication Page
p.753～756
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Paper

Material Type
記事
Title
半導体ナノテクノロジー研究室の研究概要--3族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル成長と評価
Author/Editor
鈴木 敏正
Series Title
[日本工業大学]創造システム工学科特集号 ; 創造システム工学科の研究活動および研究活動を通じた教育実践
Author Heading
鈴木 敏正
Alternative Title
Research outline of semiconductor nanotechnology laboratory: epitaxial growth and characterization of 3-nitride semiconductor thin films
Periodical title
日本工業大学研究報告 = Report of researches / Nippon Institute of Technology
No. or year of volume/issue
40(4) (通号 131) 2011.2
Volume
40
Issue
4