半導体直接融着による...

半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ (電子部品・材料)

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半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ

(電子部品・材料)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
11239211
Material type
記事
Author
田辺 克明ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2011-08
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111(184) 2011.8.25・26
Publication Page
p.53~58
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
田辺 克明
渡邉 克之
荒川 泰彦
Alternative Title
1.3μm InAs/GaAs quantum dot lasers on Si substrates by direct semiconductor bonding
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
111(184) 2011.8.25・26
Volume
111
Issue
184