GaN量子ドットの成長機構とその光学特性 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)

GaN量子ドットの成長機構とその光学特性

(ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)

Journal name: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会編 81(1) 1998.01

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Material Type: 記事
Title: GaN量子ドットの成長機構とその光学特性
Author/Editor: 田中悟
Peter Ramvall
野村晋太郎他
Series Title: ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集
Author Heading: 田中悟
Peter Ramvall
野村晋太郎
Periodical title: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会編
No. or year of volume/issue: 81(1) 1998.01
Volume: 81
Issue: 1
Pages: 72～77
Publication date of volume/issue (W3CDTF): 1998-01
ISSN (Periodical Title): 0915-1907
ISSN-L (Periodical Title): 0915-1907
Publication (Periodical Title): 東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
NDLC: ZN33
Target Audience: 一般
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Z16-1852
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 4392160
http://id.ndl.go.jp/bib/4392160
Bibliographic Record Category (NDL): 632