SiC基板表面の平坦化技術(特集:SiC素子実用化のための表面研究)

• Material Type: 記事
• Title: SiC基板表面の平坦化技術
• Author/Editor: 土田 秀一; 直本 保; 鎌田 功穂 他
• Series Title: 特集:SiC素子実用化のための表面研究
• Author Heading: 土田 秀一; 直本 保; 鎌田 功穂
• Periodical title: 表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編
• No. or year of volume/issue: 21(12) 2000.12
• Volume: 21
• Issue: 12
• Pages: 784～790
• Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2000-12
• ISSN (Periodical Title): 0388-5321
• ISSN-L (Periodical Title): 0388-5321
• Publication (Periodical Title): 東京 : 日本表面科学会
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: ZM35
• Target Audience: 一般
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• Access Restrictions: インターネット公開
• Availability of remote photoduplication service: 不可
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: Z15-379
• Related Material (URI): http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/8327024
• Related Material (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/8327024; http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/8327024
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 5593131; http://id.ndl.go.jp/bib/5593131
• Bibliographic Record Category (NDL): 632

• Summary, etc.: The effects of H₂- and HF- on SiC{0001} surfaces interms of morphology and adsorbates have been investigated. High temperature annealing in...