雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
Volume number100(644)-100(655) 20010300-20010300
Article減圧CVDで形成した...

減圧CVDで形成したゲート酸化膜を有するシリコン単電子トランジスタの伝導特性 (単電子・量子効果デバイスを含む極微細デバイスとその界面制御 ; ナノデバイス(2))

Icons representing 記事

減圧CVDで形成したゲート酸化膜を有するシリコン単電子トランジスタの伝導特性

(単電子・量子効果デバイスを含む極微細デバイスとその界面制御 ; ナノデバイス(2))

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
5712585
Material type
記事
Author
齋藤 真澄ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2001-03-01
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 100(644) 2001.3.1
Publication Page
p.15～20
View All

Holdings of Libraries in Japan

This page shows libraries in Japan other than the National Diet Library that hold the material.

List of Cooperating Institutions and Databases

Please contact your local library for information on how to use materials or whether it is possible to request materials from the holding libraries.

other

  • CiNii Research

    Search Service
    Paper
    You can check the holdings of institutions and databases with which CiNii Research is linked at the site of CiNii Research.
    Check the holdings of this book

Bibliographic Record

You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.

Paper

Material Type
記事
Title
減圧CVDで形成したゲート酸化膜を有するシリコン単電子トランジスタの伝導特性
Author/Editor
齋藤 真澄
高橋 信義
平本 俊郎
Series Title
単電子・量子効果デバイスを含む極微細デバイスとその界面制御 ; ナノデバイス(2)
Author Heading
齋藤 真澄
高橋 信義
平本 俊郎
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
100(644) 2001.3.1
Volume
100
Issue
644
Pages
15～20