雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
Volume number101(11)-101(19) 20010400-20010400
ArticleSi02基板上の非晶...

Si02基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程 (シリコン材料・デバイス--低温ポリSiTFTと有機EL技術)

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Si02基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程

(シリコン材料・デバイス--低温ポリSiTFTと有機EL技術)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
5775575
Material type
記事
Author
朴 成基ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2001-04-20
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 101(17) 2001.4.20
Publication Page
p.15～20
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Paper

Material Type
記事
Title
Si02基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程
Author/Editor
朴 成基
山口 伸也
杉井 信之 他
Series Title
シリコン材料・デバイス--低温ポリSiTFTと有機EL技術
Author Heading
朴 成基
山口 伸也
杉井 信之
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
101(17) 2001.4.20
Volume
101
Issue
17
Pages
15～20