InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価 (結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子材料,太陽電池,高耐圧素子等)--小特集:3族窒化物研究の最前線)

InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価

(結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子材料,太陽電池,高耐圧素子等)--小特集:3族窒化物研究の最前線)

Journal name: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 102(79) 2002.5.24

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Material Type: 記事
Title: InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価
Author/Editor: 大賀涼
李祐植
藤原康文他
Series Title: 結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子材料,太陽電池,高耐圧素子等)--小特集:3族窒化物研究の最前線
Author Heading: 大賀涼
李祐植
藤原康文
Periodical title: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue: 102(79) 2002.5.24
Volume: 102
Issue: 79
Pages: 25～30
Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2002-05-24
ISSN (Periodical Title): 0913-5685
ISSN-L (Periodical Title): 0913-5685
Publication (Periodical Title): 東京 : 電子情報通信学会
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
Subject Heading: Droplet epitaxy
quantum dot
NDLC: ZN33
Target Audience: 一般
Report No. (Article): CPM2002-29
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Z16-940
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 6188408
http://id.ndl.go.jp/bib/6188408
Bibliographic Record Category (NDL): 632