雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
Volume number102(79)-102(86) 20020500-20020500
Article減圧OMVPE法によ...

減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性 (結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子材料,太陽電池,高耐圧素子等)--小特集:3族窒化物研究の最前線)

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減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性

(結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子材料,太陽電池,高耐圧素子等)--小特集:3族窒化物研究の最前線)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
6188425
Material type
記事
Author
小泉 淳ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2002-05-24
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 102(79) 2002.5.24
Publication Page
p.37～42
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Paper

Material Type
記事
Title
減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性
Author/Editor
小泉 淳
藤原 康文
井上 堅太郎 他
Series Title
結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子材料,太陽電池,高耐圧素子等)--小特集:3族窒化物研究の最前線
Author Heading
小泉 淳
藤原 康文
井上 堅太郎
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
102(79) 2002.5.24
Volume
102
Issue
79
Pages
37～42