Npn-type Nitride Heterojunction Bipolar Transistors (Devices:先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ)

Npn-type Nitride Heterojunction Bipolar Transistors

(Devices:先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ)

Journal name: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 103(163) 2003.7.1

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Material Type: 記事
Title: Npn-type Nitride Heterojunction Bipolar Transistors
Author/Editor: 牧本俊樹
熊倉一英
小林直樹
Series Title: Devices:先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ
Author Heading: 牧本俊樹
熊倉一英
小林直樹
Alternative Title: Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
Periodical title: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue: 103(163) 2003.7.1
Volume: 103
Issue: 163
Pages: 5～8
Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2003-07-01
ISSN (Periodical Title): 0913-5685
ISSN-L (Periodical Title): 0913-5685
Publication (Periodical Title): 東京 : 電子情報通信学会
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: eng
Subject Heading: HBT
p-InGaN
GaN
選択成長
電流利得
オフセット電圧
MOVPE
nitride semiconductors
regrowth
current gain
offset voltage
NDLC: ZN33
Target Audience: 一般
Report No. (Article): SDM2003-94
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Z16-940
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 6646558
http://id.ndl.go.jp/bib/6646558
Bibliographic Record Category (NDL): 632