RRAM(動作原理) メカニズムの有力な仮説を提案 (Cover Story フラッシュにコストで挑む ; コストでフラッシュに対抗できる新型メモリーが実用化へ前進)

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RRAM(動作原理) メカニズムの有力な仮説を提案(Cover Story フラッシュにコストで挑む ; コストでフラッシュに対抗できる新型メモリーが実用化へ前進)

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Material Type: 記事
Title: RRAM(動作原理) メカニズムの有力な仮説を提案
Series Title: Cover Story フラッシュにコストで挑む ; コストでフラッシュに対抗できる新型メモリーが実用化へ前進
Periodical title: Nikkei microdevices : デバイス・イノベーションをリードする
No. or year of volume/issue: (238) 2005.4
Issue: 238
Pages: 48～53
Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2005-04
ISSN (Periodical Title): 1349-4619
ISSN-L (Periodical Title): 1349-4619
Publication (Periodical Title): 東京 : 日経BP社
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
NDLC: ZM13
Target Audience: 一般
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Z14-1088
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 7294930
http://id.ndl.go.jp/bib/7294930
Bibliographic Record Category (NDL): 632