薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET (窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ) ; 特別セッションテーマ:GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?)

薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET

(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ) ; 特別セッションテーマ:GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?)

Call No. (NDL): Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library: 7699561

Material type: 記事

Author: 東脇正高ほか

Publisher: 東京 : 電子情報通信学会

Publication date: 2005-10-13

Material Format: Paper

Journal name: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 105(329) 2005.10.13

Publication Page: p.93～96

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Paper

Material Type: 記事
Title: 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET
Author/Editor: 東脇正高
小野島紀夫
松井敏明
Series Title: 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ) ; 特別セッションテーマ:GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?
Author Heading: 東脇正高
小野島紀夫
松井敏明
Periodical title: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue: 105(329) 2005.10.13
Volume: 105
Issue: 329
Pages: 93～96
Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2005-10-13
ISSN (Periodical Title): 0913-5685
ISSN-L (Periodical Title): 0913-5685
Publication (Periodical Title): 東京 : 電子情報通信学会
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 窒化ガリウム
GaN
ヘテロ構造電界効果トランジスタ
HFET
電流利得遮断周波数
fT
最大発振周波数
fmax
heterostructure field-effect transistor
current-gain cutoff frequency
maximum oscillation frequency
NDLC: ZN33
Target Audience: 一般
Report No. (Article): LQE2005-65
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Z16-940
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 7699561
http://id.ndl.go.jp/bib/7699561
Bibliographic Record Category (NDL): 632