厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化 (シリコン材料・デバイス)

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厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化

(シリコン材料・デバイス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
8895836
Material type
記事
Author
福岡 一樹ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2007-08
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107(194) 2007.8.23・24
Publication Page
p.69~73
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
福岡 一樹
小澤 治
森 涼 他
Alternative Title
A 1.92μs-wake-up time thick-gate-oxide power switch technique for ultra low-power single-chip mobile processors
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
107(194) 2007.8.23・24
Volume
107
Issue
194