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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
Volume number107(189)-107(195) 20070800-20070800
Article32nm世代以降のC...

32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化 (シリコン材料・デバイス)

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32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化

(シリコン材料・デバイス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
8895982
Material type
記事
Author
小山 正人ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2007-08
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107(194) 2007.8.23・24
Publication Page
p.101～106
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Title
32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化
Author/Editor
小山 正人
小池 正浩
上牟田 雄一 他
Series Title
シリコン材料・デバイス
Author Heading
小山 正人
小池 正浩
上牟田 雄一
Alternative Title
Influence of metal gate/high-k technology introduction on MOSFET device characteristics beyond 32nm node
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
107(194) 2007.8.23・24
Volume
107
Issue
194