3次元型トランジスタFinFETを用いたDTMOS(FinFET型DTMOS)によるシステムLSIの高密度設計法--パターン面積の縮小効果の見積もり (シリコン材料・デバイス)

3次元型トランジスタFinFETを用いたDTMOS(FinFET型DTMOS)によるシステムLSIの高密度設計法--パターン面積の縮小効果の見積もり

(シリコン材料・デバイス)

Journal name: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107(194) 2007.8.23・24

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Material Type: 記事
Title: 3次元型トランジスタFinFETを用いたDTMOS(FinFET型DTMOS)によるシステムLSIの高密度設計法--パターン面積の縮小効果の見積もり
Author/Editor: 廣島佑
渡辺重佳
岡本恵介他
Series Title: シリコン材料・デバイス
Author Heading: 廣島佑
渡辺重佳
岡本恵介
Alternative Title: Design method of high density system LSI with three-dimensional FinFET type DTMOS: reduction of pattern area
Periodical title: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue: 107(194) 2007.8.23・24
Volume: 107
Issue: 194
Pages: 125～130
Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2007-08
ISSN (Periodical Title): 0913-5685
ISSN-L (Periodical Title): 0913-5685
Publication (Periodical Title): 東京 : 電子情報通信学会
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
Subject Heading: FinFET
DTMOS
FinFET型DTMOS
システムLSI
側壁チャネル幅
FinFET type DTMOS
system LSI
sidewall channel width
NDLC: ZN33
Target Audience: 一般
Report No. (Article): SDM2007-164
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Z16-940
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 8896048
http://id.ndl.go.jp/bib/8896048
Bibliographic Record Category (NDL): 632