積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減 (シリコン材料・デバイス)

Icons representing 記事

積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減

(シリコン材料・デバイス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
8896089
Material type
記事
Author
三浦 勝哉ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2007-08
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107(194) 2007.8.23・24
Publication Page
p.135~138
View All

Bibliographic Record

You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.

Paper

Material Type
記事
Author/Editor
三浦 勝哉
河原 尊之
竹村 理一郎 他
Alternative Title
SPRAM (SPin-transfer torque RAM) with a synthetic ferrimagnetic free layer for suppressing read disturbance and write-current dispersion
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
107(194) 2007.8.23・24
Volume
107
Issue
194