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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
Volume number107(290)-107(298) 20071000-20071000
Article量子補正モンテカルロ...

量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価 (シリコン材料・デバイス)

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量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価

(シリコン材料・デバイス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
9256279
Material type
記事
Author
森 隆志ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2007-10-30
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107(297) 2007.10.30
Publication Page
p.5～10
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Title
量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価
Author/Editor
森 隆志
東 祐介
土屋 英昭
Series Title
シリコン材料・デバイス
Author Heading
森 隆志
東 祐介
土屋 英昭
Alternative Title
Comparative study on drive current of non-Si n-channel MOSFETs based on quantum-corrected Monte Carlo simulation
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
107(297) 2007.10.30
Volume
107
Issue
297