マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価 (シリコン材料・デバイス)

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マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価

(シリコン材料・デバイス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
9527935
Material type
記事
Author
松下 由憲ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2008-05
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 108(36) 2008.5.15・16
Publication Page
p.95~100
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
松下 由憲
加藤 正史
市村 正也 他
Alternative Title
Characterization of epitaxial p-type 4H-SiC layers by the microwave photoconductivity decay method
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
108(36) 2008.5.15・16
Volume
108
Issue
36