フロント・エンド・ULSIデバイスの提案 : MOSFETのHigh-Kゲート絶縁膜（HfO_2)の革新的作製方法を目指して

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Material Type: 文書・図像類
Title: フロント・エンド・ULSIデバイスの提案 : MOSFETのHigh-Kゲート絶縁膜（HfO_2)の革新的作製方法を目指して
Title Transcription: フロントエンド ULSIデバイスノテイアン : MOSFET ノ HIGF-Kゲートゼツエンマク HFO_2 ノカクシンテキサクセイホウホウオメザシテ
Author/Editor: 松尾, 直人
Author Heading: 松尾, 直人
Publication, Distribution, etc.: 山口大学ベンチャービジネスラボラトリー
Publication Date: 2002
Publication Date (W3CDTF): 2002
Periodical title: 山口大学ベンチャービジネスラボラトリー年報
No. or year of volume/issue: 6
Volume: 6
Pages: 43-43
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Format (IMT): application/pdf
Source: https://petit.lib.yamaguchi-u.ac.jp/14799/files/148744 （fulltext）
https://petit.lib.yamaguchi-u.ac.jp/14799/files/148744
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 山口大学 : 山口大学学術機関リポジトリYUNOCA