Si-Ge系ヘテロ構造のMBE成長とその2次元電子，正孔の電気的特性に関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: Si-Ge系ヘテロ構造のMBE成長とその2次元電子，正孔の電気的特性に関する研究
Author/Editor: 小幡, 勤
Author Heading: 小幡, 勤
Publication Date: 1997-03-31
Publication Date (W3CDTF): 1997-03-31
Degree grantor/type: 富山大学
Date Granted: 1997-03-31
Dissertation Number: 甲第16号
Degree Type: 博士(工学)
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 半導体
Si-Ge系ヘテロ構造
MBE成長
超格子
量子井戸構造
Target Audience: 一般
Note (General): Article
富山大学・博士(工学)・甲第16号・小幡勤・1997/3/31
DOI: 10.11501/3130982
Format (IMT): application/pdf
Source: 000000316172.pdf
https://toyama.repo.nii.ac.jp/record/5208/files/000000316172.pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 富山大学 : 富山大学学術情報リポジトリ