Si(001)面上でのGeバッファー層を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長に関する研究

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Summary, etc.：: III-V族化合物半導体の1つであるInSbは，Siとの間の格子不整合が約19.3%と非常に大きく，ヘテロエピタキシーが難しい系の一つである。このため，多くの研究グループが，この大きな格子不整合を緩和するために，SiとInSbの中間の格子定数を持った物質をバッファー層として挿入することを試みている...

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Material Type: 博士論文
Title: Si(001)面上でのGeバッファー層を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長に関する研究
Author/Editor: 森, 雅之
Author Heading: 森, 雅之
Publication Date: 1998-03-25
Publication Date (W3CDTF): 1998
Degree grantor/type: 富山大学
Dissertation Number: 甲第26号
Degree Type: 博士(工学)
Subject Heading: Si(001)
InSb薄膜
ヘテロエピタキシャル成長
Ge/Si(001)
Ge(001)
InSb(004)
アニーリング効果
Target Audience: 一般
Note (General): 出版タイプ： VoR
application/pdf
Article
富山大学・博士(工学)・甲第26号・森雅之・1998/3/25
DOI: 10.11501/3135762
https://doi.org/10.11501/3135762
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 富山大学 : 富山大学学術情報リポジトリ