窒化物半導体電子デバイスへのSiイオン注入技術の応用に関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: 窒化物半導体電子デバイスへのSiイオン注入技術の応用に関する研究
Author/Editor: 寺野, 昭久
Degree grantor/type: 福井大学
Dissertation Number: 工博乙第70号
Degree Type: 博士(工学)
Target Audience: 一般
Note (General): 出版タイプ： VoR
Source: fulltext
https://u-fukui.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=24018&item_no=1&attribute_id=20&file_no=1
fulltext
https://u-fukui.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=24018&item_no=1&attribute_id=20&file_no=2
fulltext
https://u-fukui.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=24018&item_no=1&attribute_id=20&file_no=3
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 福井大学 : 福井大学学術機関リポジトリ