Si(100)基板上に形成されたCdF_2_/CaF_2_超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

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Tokyo Tech Research Repository
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Material Type: 文書・図像類
Title: Si(100)基板上に形成されたCdF_2_/CaF_2_超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性
Author/Editor: 渡辺, 正裕
WATANABE, MASAHIRO
金澤, 徹
KANAZAWA, THORU
浅田, 雅洋
ASADA, MASAHIRO
Author Heading: 渡辺, 正裕
WATANABE, MASAHIRO
金澤, 徹
KANAZAWA, THORU
浅田, 雅洋
ASADA, MASAHIRO
Publication Date: 2004-02
Publication Date (W3CDTF): 2004-02
Alternative Title: Room Temperature Negative Differential Resistance of CdF_2_/CaF_2_ Resonant Tunneling Diode Grown on Si(100) Substrate
No. or year of volume/issue: ED2003-231 SDM2003-217
Volume: ED2003-231
Issue: SDM2003-217
Pages: 25-28
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50240094
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 東京工業大学 : 東京工業大学リサーチリポジトリ