ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード

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Tokyo Tech Research Repository
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Material Type: 文書・図像類
Title: ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード
Author/Editor: 金澤, 徹
Kanazawa, Toru
渡辺, 正裕
WATANABE, MASAHIRO
浅田, 雅洋
ASADA, MASAHIRO
Author Heading: 金澤, 徹
Kanazawa, Toru
渡辺, 正裕
WATANABE, MASAHIRO
浅田, 雅洋
ASADA, MASAHIRO
Publication Date: 2006-01
Publication Date (W3CDTF): 2006-01
Alternative Title: Fluoride based Resonant Tunneling Diode on Si(100) substrate using Nanoarea Local Growth
No. or year of volume/issue: 105 No. 550
Volume: 105
Issue: No. 550
Pages: 11-14
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50240110
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 東京工業大学 : 東京工業大学リサーチリポジトリ