ECRスパッタ法によるHfN/HfSiON構造のin-situ形成プロセスと3次元ゲートデバイス応用に関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: ECRスパッタ法によるHfN/HfSiON構造のin-situ形成プロセスと3次元ゲートデバイス応用に関する研究
Author/Editor: 佐野, 貴洋
Sano, Takahiro
Author Heading: 佐野, 貴洋
Sano, Takahiro
Publication Date: 2012-03
Publication Date (W3CDTF): 2012-03
Degree grantor/type: 東京工業大学
Date Granted: 2012-03-26
Dissertation Number: A8800
Degree Type: 博士(工学)
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50348187
Format (IMT): application/pdf
Source: fulltext
http://t2r2.star.titech.ac.jp/rrws/file/CTT100725509/ATD100000413/09D53142.pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 東京工業大学 : 東京工業大学リサーチリポジトリ