Studies on the Boron Diffusion in Silicon using CVD-BN and its Application to P-MOS Integrated Circuits

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Studies on the Boron Diffusion in Silicon using CVD-BN and its Application to P-MOS Integrated Circuits

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Material Type: 博士論文
Title: Studies on the Boron Diffusion in Silicon using CVD-BN and its Application to P-MOS Integrated Circuits
Author/Editor: 平山, 誠
Author Heading: 平山, 誠ヒラヤマ, マコト
Publication Date: 1977-03-31
Publication Date (W3CDTF): 1977-03-31
Alternative Title: CVD-BNを用いた珪素への硼素拡散とP-MOS集積回路への応用に関する研究
Degree grantor/type: 上智大学
Date Granted: 1977-03-31
Dissertation Number: 32621甲第22号
Text Language Code: eng
Target Audience: 一般
Format (IMT): application/pdf
Source: AbstractSDKS0022.pdf （abstract）
https://digital-archives.sophia.ac.jp/pub/repository/00000028724/pdf_oaipmh/AbstractSDKS0022.pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 上智大学 : 上智大学学術情報リポジトリ