ホットウォール法によるInAsSb結晶の組成制御とバッファ層導入効果に関する研究

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Material Type: 文書・図像類
Title: ホットウォール法によるInAsSb結晶の組成制御とバッファ層導入効果に関する研究
Author/Editor: 中村, 慎吾
Author Heading: 中村, 慎吾
Publication, Distribution, etc.: 静岡大学大学院電子科学研究科
Publication Date: 2007-03-22
Publication Date (W3CDTF): 2007-03-22
Alternative Title: Composition control and the effect of buffer layer in InAsSb epilayers grown by Hot Wall Epitaxy
Periodical title: 静岡大学大学院電子科学研究科研究報告
No. or year of volume/issue: 28
Volume: 28
Pages: 110-112
ISSN (Periodical Title): PISSN : 03885070
Text Language Code: jpn
NDC: 541
Target Audience: 一般
Note (General): 博士学位論文の要旨学位記番号:工博甲第282号
甲第453号
application/pdf
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
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Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 静岡大学 : 静岡大学学術リポジトリ