密度汎関数理論と局所密度近似を用いた半導体中での金属絶縁体転移の臨界現象に対する研究

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OUKA (Osaka University Knowledge Archive)
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Material Type: 博士論文
Title: 密度汎関数理論と局所密度近似を用いた半導体中での金属絶縁体転移の臨界現象に対する研究
Title Transcription: ミツド　ハンカンスウ　リロン　ト　キョクショ　ミツド　キンジ　ヲ　モチイタ　ハンドウタイチュウ　デノ　キンゾク　ゼツエンタイ　テンイ　ノ　リンカイ　ゲンショウ　ニ　タイスル　ケンキュウ
Author/Editor: 原嶋, 庸介
Author Heading: 原嶋, 庸介ハラシマ, ヨウスケ
Alternative Title: Critical phenomena of the metal-insulator transition in doped semiconductors using density functional theory and local density approximation
Degree grantor/type: 大阪大学
Date Granted: 2013-03-25
Dissertation Number: 甲第16032号
Degree Type: 博士（理学）
Text Language Code: eng
Subject Heading: Anderson localization
Metal-insulator transition
Electron-electron interaction
Target Audience: 一般
Format (IMT): application/pdf
Source: 25817_Dissertation.pdf （fulltext）
https://ir.library.osaka-u.ac.jp/repo/ouka/all/27467/25817_Dissertation.pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 大阪大学 : 大阪大学学術情報庫　桜華