バイアス電圧印加時のXPS測定によるMOSデバイスのシリコンバンドギャップ内の界面準位の観測

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Material Type: 博士論文
Title: バイアス電圧印加時のXPS測定によるMOSデバイスのシリコンバンドギャップ内の界面準位の観測
Author/Editor: 山下, 良之
Author Heading: 山下, 良之ヤマシタ, ヨシユキ
Alternative Title: Observation of Interface States in the Si Band-gap for MOS Devices by Means of XPS Measurements under Biases
Degree grantor/type: OU
Date Granted: 1998-03-25
Dissertation Number: 甲第06510号
Degree Type: 博士（理学）
Text Language Code: und
Target Audience: 一般
Format (IMT): application/pdf
Source: 13979_Abstract.pdf （abstract）
https://ir.library.osaka-u.ac.jp/repo/ouka/all/40651/13979_Abstract.pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 大阪大学 : 大阪大学学術情報庫　桜華