高誘電率Ｔａ２Ｏ５膜のシリコン半導体メモリ用容量絶縁膜への適用に関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: 高誘電率Ｔａ２Ｏ５膜のシリコン半導体メモリ用容量絶縁膜への適用に関する研究
Author/Editor: 神力,博
Author Heading: 神力,博
Alternative Title: Study on Application of Ta2O5 Dielectric Films for Storage Capacitor of Semiconductor Memories
Degree grantor/type: 日本大学
Date Granted: 2016-11-28
Dissertation Number: 乙第7176号
Degree Type: 博士（工学）
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 半導体
誘電体
酸化タンタル
ＤＲＡＭ
ＣＶＤ
semiconductor
dielectric
tantalum oxide
dynamic random access memory
chemical vapor deposition
Target Audience: 一般
DOI: 10.15006/32665B7176
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 日本大学 : 日本大学リポジトリ