GaN 上およびInN 上GaInN 成長における成長初期過程の観察

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Summary, etc.：: 高品質GaInN 膜の実現は、GaN マトリックスを用いるこれまでのGaN 系発光デバイスに対し、より幅広いデバイス設計・デバイス応用を可能とする。高品質GaInN膜を実現するためには、格子緩和過程を理解し、その過程を制御することが求められる。今回は、RF-MBE 法を用いてGaN 上およびInN上...

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Material Type: その他
Title: GaN 上およびInN 上GaInN 成長における成長初期過程の観察
Author/Editor: 山口, 智広
佐々木, 拓生
高橋, 正光
尾沼, 猛儀
本田, 徹
荒木, 努
名西, 憓之
Sasaki, Takuo
Takahashi, Masamitsu
Author Heading: 山口, 智広
佐々木, 拓生
高橋, 正光
尾沼, 猛儀
本田, 徹
荒木, 努
名西, 憓之
Sasaki, Takuo
Takahashi, Masamitsu
Publication Date: 2017-09-07
Publication Date (W3CDTF): 2017
Target Audience: 一般
Note (General): 第78回応用物理学会秋季学術講演会
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構学術機関リポジトリ