GaN表面上Ga吸着層の秩序構造

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Summary, etc.：: 半導体薄膜成長の起点となる表面の原子配置は、結晶品質の良し悪しに影響するため、素子応用の観点からも重要である。特に、窒化ガリウム（GaN）の分子線エピタキシャル（MBE）成長では、反射高速電子線回折（RHEED）や表面脱離元素量の結果から、GaN表面に2原子層ほど液体状に存在する、いわゆるバイレイヤ...

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Material Type: 文書・図像類
Title: GaN表面上Ga吸着層の秩序構造
Author/Editor: 佐々木, 拓生
岩田, 卓也
高橋, 正光
佐々木拓生
岩田卓也
高橋正光
Author Heading: 佐々木, 拓生
岩田, 卓也
高橋, 正光
佐々木拓生
岩田卓也
高橋正光
Publication Date: 2018-03-18
Publication Date (W3CDTF): 2018-03-18
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): 第65回応用物理学会春季学術講演会
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構学術機関リポジトリ