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文書・図像類

GaN表面上Ga吸着層の秩序構造

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GaN表面上Ga吸着層の秩序構造

Material type
文書・図像類
Author
佐々木, 拓生ほか
Publisher
-
Publication date
2018-03-18
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
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Notes on use

Note (General):

第65回応用物理学会春季学術講演会

Detailed bibliographic record

Summary, etc.:

半導体薄膜成長の起点となる表面の原子配置は、結晶品質の良し悪しに影響するため、素子応用の観点からも重要である。特に、窒化ガリウム(GaN)の分子線エピタキシャル(MBE)成長では、反射高速電子線回折(RHEED)や表面脱離元素量の結果から、GaN表面に2原子層ほど液体状に存在する、いわゆるバイレイヤ...

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Paper

Material Type
文書・図像類
Author/Editor
佐々木, 拓生
岩田, 卓也
高橋, 正光
佐々木 拓生
岩田 卓也
高橋 正光
Publication Date
2018-03-18
Publication Date (W3CDTF)
2018-03-18
Text Language Code
jpn
Target Audience
一般
Note (General)
第65回応用物理学会春季学術講演会
Data Provider (Database)
国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース(IRDB)(機関リポジトリ)