SiC p+nn+ダイオード中の発光中心のバイアス電圧による発光強度変化

• Material Type: 文書・図像類
• Title: SiC p+nn+ダイオード中の発光中心のバイアス電圧による発光強度変化
• Author/Editor: 本多, 智也; 常見, 大貴; 児島, 一聡; 佐藤, 真一郎; 牧野, 高紘; 小野田, 忍; 土方, 泰斗; 大島, 武; 本多 智也; 常見 大貴; 佐藤 真一郎; 牧野 高紘; 小野田 忍; 大島 武
• Author Heading: 本多, 智也; 常見, 大貴; 児島, 一聡; 佐藤, 真一郎; 牧野, 高紘; 小野田, 忍; 土方, 泰斗; 大島, 武; 本多 智也; 常見 大貴; 佐藤 真一郎; 牧野 高紘; 小野田 忍; 大島 武
• Publication Date: 2017-09-06
• Publication Date (W3CDTF): 2017-09-06
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 第78回応用物理学会秋季学術講演会
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: ワイドギャップ半導体結晶中の点欠陥を利用し、単一で固有の光子を規則的に生成する単一光子源(SPS)の生成や、スピンを利用した量子センシングへの応用が注目されている。これまでに我々は炭化ケイ素(SiC) pnダイオードの電極近傍にSPSが形成されることを確認しているが詳細は明らかになっていない。本研究...