Position-selective introduction of electrically excitable color centers in SiC pn junction diode by proton beam writing

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Note (General)：: 第16回核マイクロプローブの技術及び応用に関する国際会議(ICNMTA2018) への参加、及びSiC中のSPSに関する研究についての打合せ(山?雄一)

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Summary, etc.：: we created Vsi into in-plane SiC pn junction diode by using focused proton beam as small as 1 um of diameter. Characterizations suggested that PBW suc...

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Material Type: 文書・図像類
Title: Position-selective introduction of electrically excitable color centers in SiC pn junction diode by proton beam writing
Author/Editor: 山崎, 雄一
千葉, 陽史
牧野, 高紘
佐藤, 真一郎
山田, 尚人
佐藤, 隆博
土方, 泰斗
児嶋, 一聡
Lee, Sang-Yun
大島, 武
山崎雄一
千葉陽史
牧野高紘
佐藤真一郎
山田尚人
佐藤隆博
大島武
Author Heading: 山崎, 雄一
千葉, 陽史
牧野, 高紘
佐藤, 真一郎
山田, 尚人
佐藤, 隆博
土方, 泰斗
児嶋, 一聡
Lee, Sang-Yun
大島, 武
山崎雄一
千葉陽史
牧野高紘
佐藤真一郎
山田尚人
佐藤隆博
大島武
Publication Date: 2018-07-11
Publication Date (W3CDTF): 2018-07-11
Text Language Code: eng
Target Audience: 一般
Note (General): 第16回核マイクロプローブの技術及び応用に関する国際会議(ICNMTA2018) への参加、及びSiC中のSPSに関する研究についての打合せ(山?雄一)
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構学術機関リポジトリ