Si結晶中へのBiのイオン注入ドーピング

• Material Type: 文書・図像類
• Title: Si結晶中へのBiのイオン注入ドーピング
• Author/Editor: 三木, 一司; 河裾, 厚男; 前川, 雅樹; 田尻, 寛男; 八方, 直久; Artoni, Kevin Roquero Ang; 林, 好一; 河裾 厚男; 前川 雅樹
• Author Heading: 三木, 一司; 河裾, 厚男; 前川, 雅樹; 田尻, 寛男; 八方, 直久; Artoni, Kevin Roquero Ang; 林, 好一; 河裾 厚男; 前川 雅樹
• Publication Date: 2018-09-19
• Publication Date (W3CDTF): 2018-09-19
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: Si結晶中のBiドーパントは70meVと深いドーパント準位を持ち、40K以下でS=1/2の局所スピンとなる。Biのドナー準位のコヒーレンス時間は10Kでは0.1秒程度で10万回以上の演算ができ、エラー量子訂正を用いると半無限の演算が可能となる。このプラットフォームの技術進展には、Si結晶中のBiドー...