バイアス印加によるSiCダイオード中の発光中心の発光強度変化

• Material Type: 文書・図像類
• Title: バイアス印加によるSiCダイオード中の発光中心の発光強度変化
• Author/Editor: 本多, 智也; 常見, 大貴; 小野田, 忍; 佐藤, 真一郎; 牧野, 高紘; 土方, 泰斗; 大島, 武; 小野田 忍; 佐藤 真一郎; 牧野 高紘; 大島 武
• Author Heading: 本多, 智也; 常見, 大貴; 小野田, 忍; 佐藤, 真一郎; 牧野, 高紘; 土方, 泰斗; 大島, 武; 小野田 忍; 佐藤 真一郎; 牧野 高紘; 大島 武
• Publication Date: 2017-11-01
• Publication Date (W3CDTF): 2017-11-01
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 先進パワー半導体分科会 第4回講演会
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: SiC p+nn+ダイオード中の発光中心の逆バイアス電圧印加状態（ON）及び無バイアス状態（OFF）における発光を観察したところ、発光強度がバイアス電圧のON/OFFに応答する発光中心を発見した。この結果は、SiC中の単一光子源（SPS）を利用したデバイス駆動型SPS発光特性制御の実現や、内部電界可...