MBE成長 β-FeSi2/Si ヘテロエピタキシャル界面の評価

• Material Type: 文書・図像類
• Title: MBE成長 β-FeSi2/Si ヘテロエピタキシャル界面の評価
• Author/Editor: 前田, 佳均 (九工大); 淵, 雅也 (九工大); 有馬, 幹尋 (九工大); 寺井, 慶和 (九工大); 鳴海, 一雅; 鳴海 一雅
• Author Heading: 前田, 佳均 (九工大); 淵, 雅也 (九工大); 有馬, 幹尋 (九工大); 寺井, 慶和 (九工大); 鳴海, 一雅; 鳴海 一雅
• Publication Date: 2017-12-12
• Publication Date (W3CDTF): 2017-12-12
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): QST高崎サイエンスフェスタ2017
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: Si(111)基板上にエピタキシャル成長したβ-FeSi2(110)、(101)について、その結晶性を評価するために、Si<111>軸方向の原子列での軸に垂直な方向の原子変位をラザフォード後方散乱/チャネリング法により評価した。その過程でβ-FeSi2薄膜中で起こるイオンの多重散乱を考慮し、イオン散...