窒化ガリウム半導体に高温イオン注入したプラセオジム(Pr)の発光観測

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Summary, etc.：: 窒化ガリウム半導体(GaN)中の孤立したプラセオジム(Pr)は固体量子ビットや単一光子源への応用が期待できることから、単一Prからの単一光子発生の観測に向けた最適条件の探索を進めている。今回はイオン注入したPrの活性化率の向上を図るため、最高1200℃までの高温イオン注入を行ったので、その結果につい...

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Material Type: 文書・図像類
Title: 窒化ガリウム半導体に高温イオン注入したプラセオジム(Pr)の発光観測
Author/Editor: 佐藤, 真一郎
出来, 真斗
中村, 徹
大島, 武
佐藤真一郎
Author Heading: 佐藤, 真一郎
出来, 真斗
中村, 徹
大島, 武
佐藤真一郎
Publication Date: 2018-03-20
Publication Date (W3CDTF): 2018-03-20
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): 第65回応用物理学会春季学術講演会
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構学術機関リポジトリ