プロトンビーム描画により形成されたSiC pnダイオード中シリコン空孔のODMR測定

• Material Type: 文書・図像類
• Title: プロトンビーム描画により形成されたSiC pnダイオード中シリコン空孔のODMR測定
• Author/Editor: 千葉, 陽史; 山崎, 雄一; 牧野, 高紘; 佐藤, 真一郎; 山田, 尚人; 佐藤, 隆博; 加田, 渉; 児島, 一聡; 土方, 泰斗; 大島, 武; 千葉 陽史; 山崎 雄一; 牧野 高紘; 佐藤 真一郎; 山田 尚人; 佐藤 隆博; 加田 渉; 大島 武
• Author Heading: 千葉, 陽史; 山崎, 雄一; 牧野, 高紘; 佐藤, 真一郎; 山田, 尚人; 佐藤, 隆博; 加田, 渉; 児島, 一聡; 土方, 泰斗; 大島, 武; 千葉 陽史; 山崎 雄一; 牧野 高紘; 佐藤 真一郎; 山田 尚人; 佐藤 隆博; 加田 渉; 大島 武
• Publication Date: 2018-11-07
• Publication Date (W3CDTF): 2018-11-07
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 先進パワー半導体分科会 第5回講演会
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: SiC p+pn+ダイオード中に、プロトンビーム描画(PBW)を用いてシリコン空孔(VSi)を形成した。VSiからのフォトルミネッセンスを観測するとともに、量子センシングの基本操作である光検出磁気共鳴(ODMR)測定を行い、信号の磁場強度依存性を確認した。これらの結果は、電流駆動型デバイス内蔵量子セ...