4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成と発光特性

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Summary, etc.：: 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥(NcVsi- )の形成条件を明らかにするため、様々な条件で作製した試料の室温および80 Kでのフォトルミネッセンス測定を行った。その結果、4H-SiC基板の不純物窒素濃度や、イオンビーム照射量、熱処理温度によるNcVsi-起因の発光スペクトルや発光強度の変化を系統...

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Material Type: 文書・図像類
Title: 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成と発光特性
Author/Editor: 楢原, 拓真
佐藤, 真一郎
土方, 泰斗
大島, 武
佐藤真一郎
大島武
Author Heading: 楢原, 拓真
佐藤, 真一郎
土方, 泰斗
大島, 武
佐藤真一郎
大島武
Publication Date: 2018-11-06
Publication Date (W3CDTF): 2018-11-06
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): 先進パワー半導体分科会第5回講演会
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構学術機関リポジトリ