4H-SiC JFETのガンマ線耐性評価

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Summary, etc.：: 炭化ケイ素 (SiC) を利用した電子デバイスは、原子力施設の廃止措置における強い放射線環境下で長時間、安定して動作するパワー半導体やセンサ素子への応用が期待されている。SiC接合型電解効果トランジスタ (JFET) は、代表的なSiCスイッチングデバイスである金属-酸化膜-半導体 (MOS) FE...

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Material Type: 文書・図像類
Title: 4H-SiC JFETのガンマ線耐性評価
Author/Editor: 武山, 昭憲
清水, 奎吾
牧野, 高紘
山崎, 雄一
大島, 武
黒木, 伸一郎
田中, 保宣
武山昭憲
牧野高紘
山崎雄一
大島武
Author Heading: 武山, 昭憲
清水, 奎吾
牧野, 高紘
山崎, 雄一
大島, 武
黒木, 伸一郎
田中, 保宣
武山昭憲
牧野高紘
山崎雄一
大島武
Publication Date: 2018-11-05
Publication Date (W3CDTF): 2018-11-05
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): 先進パワー半導体分科会第5回講演会参加の為
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構学術機関リポジトリ