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文書・図像類

Ga2O3 電子デバイス開発の現状と展望 ~パワーデバイ ス、そして~

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Ga2O3 電子デバイス開発の現状と展望 ~パワーデバイ ス、そして~

Material type
文書・図像類
Author
東脇, 正高ほか
Publisher
-
Publication date
2017-09-08
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
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Notes on use

Note (General):

第78回応用物理学会秋季学術講演会

Detailed bibliographic record

Summary, etc.:

酸化ガリウム(Ga2O3) は、一半導体として見た場合、4.5 eV と非常に大きなそのバンドギャップに、材料的な特徴がほぼ集約される。実際、SiC, GaN のバンドギャップ3.3-3.4 eV を上回る半導体ということもあり、まずは次世代パワーデバイス用途で注目されている。2010 年にスタート...

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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
文書・図像類
Author/Editor
東脇, 正高
ワン, マンホイ
小西, 敬太
中田, 義 昭
上村, 崇史
林, 家弘
後藤, 健
佐々木, 公平
武山, 昭憲
牧野, 高紘
大島, 武
倉又, 朗人
山腰, 茂伸
村上, 尚
熊谷, 義直
武山 昭憲
牧野 高紘
大島 武
Publication Date
2017-09-08
Publication Date (W3CDTF)
2017-09-08
Text Language Code
jpn
Target Audience
一般
Note (General)
第78回応用物理学会秋季学術講演会
Data Provider (Database)
国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース(IRDB)(機関リポジトリ)