4H-SiC MOSFET チャネルの単一光子源のゲート電圧制御（II）

• Material Type: 文書・図像類
• Title: 4H-SiC MOSFET チャネルの単一光子源のゲート電圧制御（II）
• Author/Editor: 阿部, 裕太; 梅田享英; 岡本光央; 原田信介; 佐藤, 真一郎; 山崎, 雄一; 大島, 武; Abe, Yuta; Sato, Shinichiro; Yamazaki, Yuichi; Ohshima, Takeshi
• Author Heading: 阿部, 裕太; 梅田享英; 岡本光央; 原田信介; 佐藤, 真一郎; 山崎, 雄一; 大島, 武; Abe, Yuta; Sato, Shinichiro; Yamazaki, Yuichi; Ohshima, Takeshi
• Publication Date: 2019-03-11
• Publication Date (W3CDTF): 2019-03-11
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 第66回応用物理学会春季学術講演会
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: 4H-SiC MOSFET チャネルに存在する表面SPSの発光特性ゲート電圧依存性について調べた。MOSFETのしきい値電圧付近で発光強度が増加または減少するSPSが観察された。これは過去の研究例（P8センター)からの類推から、表面SPSの電荷状態がｰ1→ｰ２、0→-1にそれぞれ変化するためと考察し...